Tranzistorul bipolar cu heterojoncțiune (HBT) este un tip de tranzistor bipolar cu joncțiune (BJT) care utilizează materiale semiconductoare diferite pentru regiunile emițător și bază, realizând o heterojoncțiune. HBT poate gestiona semnale de frecvențe mult mai mari (până la câteva sute de GHz) decât BJT. HBT este utilizat în mod obișnuit în circuitele moderne ultrarapide, mai ales în sistemele de radiofrecvență (RF), și în aplicații care necesită o eficiență energetică ridicată, cum ar fi amplificatoarele de putere RF din telefoanele mobile. Ideea de a utiliza o heterojoncțiune este la fel de veche ca și BJT-ul convențional, datând dintr-un brevet din 1951.